取一指针式三用电表摆在电阻挠Rx1红棒摆在阴极黑棒摆在阳极然后用黑棒的电位去碰触操控极。这时要导通铺开操控极相同要导通，黑棒铺开断路。若是这样属於好的，若是不触发操控极就导通那就坏掉了。半导体的规范作业时分的温度是25度C他有一个温升曲线度C的时分功率简直等於零。等冷却了功率才会上升。

  上面这个答复或许过于简略，一般学过电子的人都知道，但是可控硅如何用万用表来丈量好坏呢？首先要介绍下可控硅的结构：

  单向可控硅结构：由四层半导体资料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫操控极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以正常的看到，它和二极管相同是一种单独向导电的器材，关键是多了一个操控极G，这就使它具有与二极管彻底不同的作业特性。

  双向可控硅结构：双向可控硅实质上是两个反并联的单向可控硅，是由NPNPN五层半导体构成四个PN结构成、有三个电极的半导体器材。双向可控硅具有两个方向轮番导通、关断的特性。

  可控硅三个极的办法很简略，依据P-N结的原理，只要用万用表丈量一下三个极之间的电阻值就可以。晶闸管管脚的判别可用下述办法：

  1.先用万用表R*1K挡丈量三脚之间的阻值，阻值小的两脚别离为操控极和阴极，所剩的一脚为阳极。

  2.再将万用表置于R*10K挡，用手指捏住阳极和另一脚，且不让两脚触摸，黑表笔接阳极，红表笔接剩余的一脚，如表针向右摇摆，阐明红表笔所接为阴极，不摇摆则为操控极。

  1.万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔别离测恣意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此刻黑表笔的引脚为操控极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。

  2.将黑表笔接已判别了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此刻万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和操控极G，此刻万用表电阻挠指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针产生偏转，阐明该可控硅已击穿损坏。

  阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和操控极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，并且方向相反，因而阳极和操控极正反向都不通）。

  操控极与阴极之间是一个P-N结，因而它的正向电阻大约在几欧-几百欧的规模，反向电阻比正向电阻要大。但是操控极二极管特性是不太抱负的，反向不是彻底呈阻断状况的，可以有比较大的电流经过，因而，有时测得操控极反向电阻比较小，并不能阐明操控极特性欠好。别的，在丈量操控极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，避免电压过高操控极反向击穿。

  若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与操控极短路，或操控极与阴极反向短路，或操控极与阴极断路，阐明元件已损坏。

  将万用表置于皮R×1k档，假如测得T2－T1、T2－G之间的正反向电阻挨近∞，而万用表置于R×10档测得T1－G之间的正反向电阻在几十欧姆  时，就阐明双向可控硅是好的，可以正常的运用；反之：

  1、若测得T2－T1，、T2－G之间的正反向电阻较小甚或等于零．而Tl－G之间的正反向电阻很小或挨近于零时．就阐明双向可控硅的功能变坏或击穿损坏。不能运用；

  2、假如测得T1－G之间的正反向电阻很大(挨近∞)时，阐明操控极G与主电极T1之间内部触摸不良或开路损坏，也不能运用。

  万用表置于R×10档：①如图,1(a)所示，用黑表笔接主电极T2，红表笔接T1，即给T2加正向电压，再用短路线)短接一下后脱离，假如表头指针产生了较大偏转并停留在一固定方位，阐明双向可控硅中的一部分(其间一个单向可控硅)是好的，如图1(b)所示，改黑表笔接主电极T1，红表笔接T2，即给T1加正向电压，再用短路线)短接一下后脱离，假如成果同上，也证明双向可控硅中的另一部分(其间的一个单向可控硅是好的。测验到止阐明双向可控硅整个都是好的，即在两个方向(在不同极性的触发电压证）均能触发导通。

  如图2所示．取一只10uF左右的电解电容器，将万用表置于R×10k档(V电压)，对电解电容器充电3~5s后用来替代图1中的短路线，即运用电容器上所充的电压作为触发信号，然后再将万用表置于R×10档，照图2(b)衔接好后来测验。测验时，电容C的极性可恣意衔接，同样是碰触一下后脱离，调查表头指针偏转状况，假如测验成果与“办法二’相同，就证明双向可控硅是好的。

  运用此法判别双向可控硅的触发导通才能更为牢靠。因为电解电容器上充的电压较高，使触发信号增大，更利于判别大功率双向可控硅的触发才能。

  以上便是有关于可控硅怎样丈量好坏的回答，有人反响，直流驱动器的冷却电扇若无法正常散热，将会缩短可控硅惯例运用的寿数。